![](https://static.whisyee.com/dimg/cypresssemiconductorcorp-s25fl256sagmfir01-6422.jpg)
Изображение служит лишь для справки
![](/_nuxt/img/icon1.a69e55e.png)
![](/_nuxt/img/icon2.6564a3d.png)
![](/_nuxt/img/icon3.dfeeaa2.png)
![](/_nuxt/img/icon4.c64d914.png)
![](/_nuxt/img/icon5.db8ede5.png)
![](/_nuxt/img/icon6.f17f115.png)
S25FL512SAGMFAG10
-
Cypress Semiconductor Corp
-
Память
- 16-SOIC (0.295, 7.50mm Width)
- IC 512 MB FLASH MEMORY
Date Sheet
Lagernummer 50
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Срок поставки от производителя:13 Weeks
- Вид крепления:Surface Mount
- Корпус / Кейс:16-SOIC (0.295, 7.50mm Width)
- Поверхностный монтаж:YES
- Типы памяти:Non-Volatile
- Уровень применения:Automotive grade
- Рабочая температура:-40°C~85°C TA
- Пакетирование:Tray
- Серия:Automotive, AEC-Q100, FL-S
- Код JESD-609:e3
- Состояние изделия:Active
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ):3 (168 Hours)
- Количество выводов:16
- Конечная обработка контакта:Matte Tin (Sn)
- Дополнительная Характеристика:ITS ALSO CONFIGURABLE AS 512MX1
- Код ТН ВЭД:8542.32.00.51
- Напряжение - Питание:2.7V~3.6V
- Положение терминала:DUAL
- Температура пайки (пиковая) (°C):NOT SPECIFIED
- Количество функций:1
- Напряжение питания:3V
- Шаг выводов:1.27mm
- Время@Максимальная температура пайки-пик (с):NOT SPECIFIED
- Код JESD-30:R-PDSO-G16
- Напряжение питания максимальное (Vпит):3.6V
- Напряжение питания минимальное (Vпит):2.7V
- Размер памяти:512Mb 64M x 8
- Режим работы:SYNCHRONOUS
- Частота часов:133MHz
- Формат памяти:FLASH
- Интерфейс памяти:SPI - Quad I/O
- Организация:64MX8
- Ширина памяти:8
- Плотность памяти:512753664 bit
- Уровень фильтрации:AEC-Q100; TS 16949
- Параллельный/Серийный:SERIAL
- Программирование напряжения:3V
- Альтернативная ширина памяти:1
- Длина:10.3mm
- Высота сидения (макс.):2.65mm
- Ширина:7.5mm
- Состояние RoHS:ROHS3 Compliant
Со склада 50
Итого $0.00000