Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные 2SK2545
Изображение служит лишь для справки
2SK2545
-
Toshiba
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- -
- TRANSISTOR 6 A, 600 V, 1.25 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, 2-10R1B, SC-67, 3 PIN, FET General Purpose Power
Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Surface Mount：NO
- Number of Terminals：3
- Transistor Element Material：SILICON
- Package Description：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
- Package Style：FLANGE MOUNT
- Package Body Material：PLASTIC/EPOXY
- Reflow Temperature-Max (s)：NOT SPECIFIED
- Operating Temperature-Max：150 °C
- Rohs Code：No
- Manufacturer Part Number：2SK2545
- Package Shape：RECTANGULAR
- Manufacturer：Toshiba America Electronic Components
- Number of Elements：1
- Part Life Cycle Code：Obsolete
- Ihs Manufacturer：TOSHIBA CORP
- Risk Rank：5.84
- Part Package Code：SC-67
- Drain Current-Max (ID)：6 A
- Pbfree Code：No
- Subcategory：FET General Purpose Power
- Terminal Position：SINGLE
- Terminal Form：THROUGH-HOLE
- Peak Reflow Temperature (Cel)：NOT SPECIFIED
- Reach Compliance Code：unknown
- Pin Count：3
- JESD-30 Code：R-PSFM-T3
- Qualification Status：Not Qualified
- Configuration：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- Operating Mode：ENHANCEMENT MODE
- Case Connection：ISOLATED
- Transistor Application：SWITCHING
- Polarity/Channel Type：N-CHANNEL
- Drain Current-Max (Abs) (ID)：6 A
- Drain-source On Resistance-Max：1.25 Ω
- Pulsed Drain Current-Max (IDM)：24 A
- DS Breakdown Voltage-Min：600 V
- Avalanche Energy Rating (Eas)：345 mJ
- FET Technology：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- Power Dissipation-Max (Abs)：40 W
- Power Dissipation Ambient-Max：40 W
Со склада 0
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты