Изображение служит лишь для справки
HM511000AP-10
- Hitachi
- Неклассифицированные
- -
- Fast Page DRAM, 1MX1, 100ns, CMOS, PDIP18, 0.300 INCH, PLASTIC, DIP-18
- Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Поверхностный монтаж:NO
- Количество терминалов:18
- Описание пакета:DIP, DIP18,.3
- Форма упаковки:IN-LINE
- Количество кодовых слов:1000000
- Материал корпуса пакета:PLASTIC/EPOXY
- Код эквивалентности пакета:DIP18,.3
- Максимальная температура рефлоу:NOT SPECIFIED
- Время доступа-максимум:100 ns
- Температура работы-Макс:70 °C
- Рохс Код:No
- Артикул Производителя:HM511000AP-10
- Количество слов:1048576 words
- Номинальное напряжение питания (Вн):5 V
- Код пакета:DIP
- Форма упаковки:RECTANGULAR
- Производитель:Hitachi Ltd
- Код цикла жизни компонента:Obsolete
- Производитель IHS:HITACHI LTD
- Ранг риска:8.75
- Код упаковки компонента:DIP
- Код JESD-609:e0
- Безоловая кодировка:No
- Код ECCN:EAR99
- Конечная обработка контакта:Tin/Lead (Sn/Pb)
- Дополнительная Характеристика:RAS ONLY/CAS BEFORE RAS REFRESH
- Код ТН ВЭД:8542.32.00.02
- Подкатегория:DRAMs
- Технология:CMOS
- Положение терминала:DUAL
- Форма вывода:THROUGH-HOLE
- Температура пайки (пиковая) (°C):NOT SPECIFIED
- Количество функций:1
- Шаг выводов:2.54 mm
- Код соответствия REACH:unknown
- Число контактов:18
- Код JESD-30:R-PDIP-T18
- Квалификационный Статус:Not Qualified
- Напряжение питания максимальное (Vпит):5.5 V
- Блоки питания:5 V
- Градация температуры:COMMERCIAL
- Напряжение питания минимальное (Vпит):4.5 V
- Количество портов:1
- Режим работы:ASYNCHRONOUS
- Максимальный ток подачи:0.06 mA
- Организация:1MX1
- Характеристики выдачи:3-STATE
- Максимальная высота посадки:5.08 mm
- Ширина памяти:1
- Ток ожидания-макс:0.001 A
- Плотность памяти:1048576 bit
- Тип ввода/вывода:SEPARATE
- Тип микросхемы памяти:FAST PAGE DRAM
- Обновляющие циклы:512
- Режим доступа:FAST PAGE
- Ширина:7.62 mm
- Длина:22.26 mm
Со склада 0
Итого $0.00000