HITACHI (779)
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- 2SK350
- Hersteller :Hitachi
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- Menge:11000
- Erläuterung:Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
- MBM150GS6AW
- Hersteller :Hitachi
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- Erläuterung:Insulated Gate Bipolar Transistor, 150A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel,
- 2SK551
- Hersteller :Hitachi
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- Menge:100
- Erläuterung:Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
- 2SJ182L
- Hersteller :Hitachi
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- Menge:2700
- Erläuterung:Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 60V, 0.55ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, DPAK-3
- 2SK323KCTL
- Hersteller :Hitachi
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- Erläuterung:Small Signal Field-Effect Transistor, 0.03A I(D), 1-Element, N-Channel, Silicon, Junction FET
- HAT1025R
- Hersteller :Hitachi
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- Erläuterung:Power Field-Effect Transistor, 4.5A I(D), 20V, 0.15ohm, 2-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MS-012AA, SO-8
- 2SK1838(S)-TR
- Hersteller :Hitachi
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- Erläuterung:Power Field-Effect Transistor, 1A I(D), 250V, 8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
- AW01-09
- Hersteller :Hitachi
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- Erläuterung:Zener Diode, 9V V(Z), 6.08%, 1W, Silicon, Unidirectional
- AW01-07
- Hersteller :Hitachi
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- Menge:2000
- Erläuterung:Zener Diode, 7V V(Z), 12.06%, 1W, Silicon, Unidirectional
- 2SK2373ZE-TL
- Hersteller :Hitachi
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- Erläuterung:Small Signal Field-Effect Transistor, 0.2A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
- AU01-33
- Hersteller :Hitachi
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- Erläuterung:Zener Diode, 33V V(Z), 6.06%, 2.5W, Silicon, Unidirectional
- HAT2040R-EL
- Hersteller :Hitachi
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- Erläuterung:Power Field-Effect Transistor, 15A I(D), 30V, 0.008ohm, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
- 2SJ280STL
- Hersteller :Hitachi
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- Erläuterung:Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 60V, 0.06ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
- 2SK40
- Hersteller :Hitachi
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- Erläuterung:Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, N-Channel, Silicon, Junction FET, TO-92
- HAT3004REL
- Hersteller :Hitachi
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- Erläuterung:Power Field-Effect Transistor, 5.5A I(D), 30V, 0.11ohm, N-Channel and P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
- 2SK2796(S)TR
- Hersteller :Hitachi
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- Erläuterung:Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 60V, 0.25ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
- 2SJ220L
- Hersteller :Hitachi
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- Erläuterung:Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 60V, 0.13ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, LDPAK-3
- DAM1A10
- Hersteller :Hitachi
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- Erläuterung:Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, Unidirectional, 1 Element, Silicon
- AW01-20
- Hersteller :Hitachi
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- Erläuterung:Zener Diode, 20V V(Z), 6%, 1W, Silicon, Unidirectional
- DAM1A12
- Hersteller :Hitachi
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- Erläuterung:Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, Unidirectional, 1 Element, Silicon
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