Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные BSC123N08NS3GXT
Изображение служит лишь для справки
BSC123N08NS3GXT
-
Infineon
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- -
- Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 80V, 0.0123ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, GREEN, PLASTIC, TDSON-8
Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Factory Lead Time：26 Weeks
- Contact Plating：Tin
- Mount：Surface Mount
- Surface Mount：YES
- Number of Pins：8
- Number of Terminals：5
- Transistor Element Material：SILICON
- Mounting：Surface Mount
- Supplier Package：TDSON EP
- RoHS：Compliant
- Package Description：SMALL OUTLINE, R-PDSO-F5
- Package Style：SMALL OUTLINE
- Package Body Material：PLASTIC/EPOXY
- Operating Temperature-Min：-55 °C
- Operating Temperature-Max：150 °C
- Rohs Code：Yes
- Manufacturer Part Number：BSC123N08NS3GXT
- Package Shape：RECTANGULAR
- Manufacturer：Infineon Technologies AG
- Number of Elements：1
- Part Life Cycle Code：Active
- Ihs Manufacturer：INFINEON TECHNOLOGIES AG
- Risk Rank：5.75
- Drain Current-Max (ID)：55 A
- Operating Temperature：-55 to 150 °C
- ECCN Code：EAR99
- Max Operating Temperature：150 °C
- Min Operating Temperature：-55 °C
- Terminal Position：DUAL
- Terminal Form：FLAT
- Reach Compliance Code：compliant
- JESD-30 Code：R-PDSO-F5
- Configuration：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- Operating Mode：ENHANCEMENT MODE
- Case Connection：DRAIN
- Transistor Application：SWITCHING
- Rise Time：18 ns
- Polarity/Channel Type：N-CHANNEL
- Continuous Drain Current (ID)：11 A
- Gate to Source Voltage (Vgs)：20 V
- Drain-source On Resistance-Max：0.0123 Ω
- Pulsed Drain Current-Max (IDM)：220 A
- DS Breakdown Voltage-Min：80 V
- Avalanche Energy Rating (Eas)：70 mJ
- FET Technology：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- Power Dissipation-Max (Abs)：66 W
Со склада 0
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты