Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные 2SK3157-E
Изображение служит лишь для справки
2SK3157-E
-
Renesas
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- -
- Nch Single Power MOSFET 150V 20A 70mohm TO-220FM
Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Surface Mount：NO
- Number of Terminals：3
- Transistor Element Material：SILICON
- RoHS：Compliant
- Package Description：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
- Package Style：FLANGE MOUNT
- Moisture Sensitivity Levels：1
- Package Body Material：PLASTIC/EPOXY
- Manufacturer Package Code：PRSS0003AD-A3
- Reflow Temperature-Max (s)：NOT SPECIFIED
- Operating Temperature-Max：150 °C
- Rohs Code：Yes
- Manufacturer Part Number：2SK3157-E
- Package Shape：RECTANGULAR
- Manufacturer：Renesas Electronics Corporation
- Number of Elements：1
- Part Life Cycle Code：Not Recommended
- Ihs Manufacturer：RENESAS ELECTRONICS CORP
- Risk Rank：5.21
- Part Package Code：TO-220FM
- Drain Current-Max (ID)：20 A
- JESD-609 Code：e2
- ECCN Code：EAR99
- Terminal Finish：TIN COPPER
- Subcategory：FET General Purpose Power
- Terminal Position：SINGLE
- Terminal Form：THROUGH-HOLE
- Peak Reflow Temperature (Cel)：NOT SPECIFIED
- Reach Compliance Code：compliant
- Pin Count：3
- JESD-30 Code：R-PSFM-T3
- Qualification Status：Not Qualified
- Brand Name：Renesas
- Configuration：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- Operating Mode：ENHANCEMENT MODE
- Case Connection：ISOLATED
- Transistor Application：SWITCHING
- Drain to Source Voltage (Vdss)：150 V
- Polarity/Channel Type：N-CHANNEL
- Continuous Drain Current (ID)：20 A
- JEDEC-95 Code：TO-220AB
- Drain Current-Max (Abs) (ID)：20 A
- Drain-source On Resistance-Max：0.08 Ω
- Pulsed Drain Current-Max (IDM)：80 A
- DS Breakdown Voltage-Min：150 V
- FET Technology：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- Power Dissipation-Max (Abs)：35 W
- Lead Free：Lead Free
Со склада 0
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты