Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные AUIRF1405ZSTRR
Изображение служит лишь для справки
AUIRF1405ZSTRR
Lagernummer 7360
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Surface Mount：YES
- Number of Terminals：2
- Transistor Element Material：SILICON
- Package Description：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
- Package Style：SMALL OUTLINE
- Moisture Sensitivity Levels：1
- Package Body Material：PLASTIC/EPOXY
- Reflow Temperature-Max (s)：30
- Operating Temperature-Max：175 °C
- Rohs Code：Yes
- Manufacturer Part Number：AUIRF1405ZSTRR
- Package Shape：RECTANGULAR
- Manufacturer：International Rectifier
- Number of Elements：1
- Part Life Cycle Code：Obsolete
- Ihs Manufacturer：INTERNATIONAL RECTIFIER CORP
- Risk Rank：5.1
- Part Package Code：D2PAK
- Drain Current-Max (ID)：150 A
- JESD-609 Code：e3
- Pbfree Code：Yes
- ECCN Code：EAR99
- Terminal Finish：MATTE TIN OVER NICKEL
- Additional Feature：AVALANCHE RATED, ULTRA-LOW RESISTANCE, HIGH RELIABILITY
- Subcategory：FET General Purpose Power
- Terminal Position：SINGLE
- Terminal Form：GULL WING
- Peak Reflow Temperature (Cel)：260
- Reach Compliance Code：compliant
- Pin Count：3
- JESD-30 Code：R-PSSO-G2
- Qualification Status：Not Qualified
- Configuration：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- Operating Mode：ENHANCEMENT MODE
- Case Connection：DRAIN
- Transistor Application：SWITCHING
- Polarity/Channel Type：N-CHANNEL
- JEDEC-95 Code：TO-263AB
- Drain Current-Max (Abs) (ID)：150 A
- Drain-source On Resistance-Max：0.0049 Ω
- Pulsed Drain Current-Max (IDM)：600 A
- DS Breakdown Voltage-Min：55 V
- Avalanche Energy Rating (Eas)：270 mJ
- FET Technology：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- Power Dissipation-Max (Abs)：230 W
Со склада 7360
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты