Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные IRFG5110
Изображение служит лишь для справки
IRFG5110
-
Infineon
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- -
- Power Field-Effect Transistor, 1A I(D), 100V, 0.8ohm, 4-Element, N-Channel and P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MO-036AB, HERMETIC SEALED, MO-036AB, 14 PIN
Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Surface Mount：NO
- Number of Terminals：14
- Transistor Element Material：SILICON
- Ihs Manufacturer：INFINEON TECHNOLOGIES AG
- Part Life Cycle Code：Active
- Number of Elements：4
- Manufacturer：Infineon Technologies AG
- Package Shape：RECTANGULAR
- Manufacturer Part Number：IRFG5110
- Rohs Code：No
- Operating Temperature-Max：150 °C
- Reflow Temperature-Max (s)：NOT SPECIFIED
- Package Body Material：CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
- Package Style：IN-LINE
- Package Description：HERMETIC SEALED, MO-036AB, 14 PIN
- Risk Rank：5.34
- Drain Current-Max (ID)：1 A
- JESD-609 Code：e0
- ECCN Code：EAR99
- Terminal Finish：Tin/Lead (Sn/Pb)
- Additional Feature：HIGH RELIABILITY
- Subcategory：Other Transistors
- Terminal Position：DUAL
- Terminal Form：THROUGH-HOLE
- Peak Reflow Temperature (Cel)：NOT SPECIFIED
- Reach Compliance Code：unknown
- JESD-30 Code：R-CDIP-T14
- Qualification Status：Not Qualified
- Configuration：SEPARATE, 4 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
- Operating Mode：ENHANCEMENT MODE
- Transistor Application：SWITCHING
- Polarity/Channel Type：N-CHANNEL AND P-CHANNEL
- JEDEC-95 Code：MO-036AB
- Drain Current-Max (Abs) (ID)：1 A
- Drain-source On Resistance-Max：0.8 Ω
- Pulsed Drain Current-Max (IDM)：4 A
- DS Breakdown Voltage-Min：100 V
- Avalanche Energy Rating (Eas)：75 mJ
- FET Technology：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Со склада 0
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты