Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные BUK7611-55B
Изображение служит лишь для справки
BUK7611-55B
-
Nexperia
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- -
- Power Field-Effect Transistor
Date Sheet
Lagernummer 252
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Поверхностный монтаж：YES
- Количество терминалов：2
- Материал элемента транзистора：SILICON
- РХОС：Compliant
- Описание пакета：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
- Форма упаковки：SMALL OUTLINE
- Уровни чувствительности к влажности：1
- Материал корпуса пакета：PLASTIC/EPOXY
- Максимальная температура рефлоу：30
- Рохс Код：Yes
- Артикул Производителя：BUK7611-55B
- Форма упаковки：RECTANGULAR
- Производитель：Nexperia
- Количество элементов：1
- Код цикла жизни компонента：End Of Life
- Производитель IHS：NEXPERIA
- Ранг риска：5.17
- Максимальный ток утечки (ID)：75 A
- Код JESD-609：e3
- Конечная обработка контакта：Tin (Sn)
- Положение терминала：SINGLE
- Форма вывода：GULL WING
- Температура пайки (пиковая) (°C)：245
- Код соответствия REACH：not_compliant
- Код JESD-30：R-PSSO-G2
- Конфигурация：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- Режим работы：ENHANCEMENT MODE
- Сокетная связка：DRAIN
- Применение транзистора：SWITCHING
- Напряжение стока-исток (Vdss)：55 V
- Полярность/Тип канала：N-CHANNEL
- Непрерывный ток стока (ID)：84 A
- Сопротивление открытого канала-макс：0.011 Ω
- Максимальный импульсный ток вывода：338 A
- Минимальная напряжённость разрушения：55 V
- Рейтинг энергии лавины (Eas)：173 mJ
- Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- Без свинца：Lead Free
Со склада 252
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты