Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные UPA1501H-AZ
Изображение служит лишь для справки
UPA1501H-AZ
-
Renesas
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- -
- 3A, 120V, 0.65ohm, 4 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, SIP-12
Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Поверхностный монтаж：NO
- Количество контактов：12
- Количество терминалов：12
- Материал элемента транзистора：SILICON
- РХОС：Non-Compliant
- Описание пакета：IN-LINE, R-PSIP-T12
- Форма упаковки：IN-LINE
- Материал корпуса пакета：PLASTIC/EPOXY
- Максимальная температура рефлоу：NOT SPECIFIED
- Температура работы-Макс：150 °C
- Рохс Код：Yes
- Артикул Производителя：UPA1501H-AZ
- Форма упаковки：RECTANGULAR
- Производитель：Renesas Electronics Corporation
- Количество элементов：4
- Код цикла жизни компонента：Obsolete
- Производитель IHS：RENESAS ELECTRONICS CORP
- Ранг риска：5.39
- Максимальный ток утечки (ID)：3 A
- Код ECCN：EAR99
- Сопротивление：550 mΩ
- Код ТН ВЭД：8541.29.00.95
- Подкатегория：FET General Purpose Power
- Положение терминала：SINGLE
- Форма вывода：THROUGH-HOLE
- Температура пайки (пиковая) (°C)：260
- Код соответствия REACH：unknown
- Число контактов：12
- Код JESD-30：R-PSIP-T12
- Квалификационный Статус：Not Qualified
- Конфигурация：COMPLEX
- Режим работы：ENHANCEMENT MODE
- Применение транзистора：SWITCHING
- Напряжение стока-исток (Vdss)：120 V
- Полярность/Тип канала：N-CHANNEL
- Непрерывный ток стока (ID)：3 A
- Максимальный сливовой ток (ID)：3 A
- Сопротивление открытого канала-макс：0.65 Ω
- Максимальный импульсный ток вывода：12 A
- Минимальная напряжённость разрушения：120 V
- Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- Максимальная потеря мощности (абс.)：4 W
- Сопротивление стока к истоку：550 mΩ
Со склада 0
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты