Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные IPP80N08S207XK
Изображение служит лишь для справки
IPP80N08S207XK
- Infineon
- Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- -
- Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 75V, 0.0074ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, GREEN, PLASTIC, TO-220, 3 PIN
- Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Срок поставки от производителя:10 Weeks
- Поверхностный монтаж:NO
- Количество контактов:3
- Количество терминалов:3
- Материал элемента транзистора:SILICON
- Прямоходящий ток вывода Id:80
- РХОС:Compliant
- Количество элементов:1
- Код цикла жизни компонента:Active
- Производитель IHS:INFINEON TECHNOLOGIES AG
- Ранг риска:5.68
- Максимальный ток утечки (ID):80 A
- Производитель:Infineon Technologies AG
- Форма упаковки:RECTANGULAR
- Артикул Производителя:IPP80N08S207XK
- Рохс Код:Yes
- Максимальная температура рефлоу:NOT SPECIFIED
- Материал корпуса пакета:PLASTIC/EPOXY
- Форма упаковки:FLANGE MOUNT
- Описание пакета:FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
- Код ECCN:EAR99
- Положение терминала:SINGLE
- Форма вывода:THROUGH-HOLE
- Температура пайки (пиковая) (°C):NOT SPECIFIED
- Код соответствия REACH:compliant
- Код JESD-30:R-PSFM-T3
- Конфигурация:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- Режим работы:ENHANCEMENT MODE
- Полярность/Тип канала:N-CHANNEL
- Код JEDEC-95:TO-220AB
- Сопротивление открытого канала-макс:0.0074 Ω
- Максимальный импульсный ток вывода:320 A
- Минимальная напряжённость разрушения:75 V
- Канальный тип:N
- Рейтинг энергии лавины (Eas):810 mJ
- Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток):METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Со склада 0
Итого $0.00000