BUK652R6-40C

Name: NXP USA Inc. BUK652R6-40C
Brand: NXP USA Inc.
Rating: 5 (17 reviews)

NXP USA Inc.
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
-
TRANSISTOR 100 A, 40 V, 0.0026 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB, PLASTIC, SC-46, 3 PIN, FET General Purpose Power
Date Sheet

Lagernummer 0

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Поверхностный монтаж：NO
Количество терминалов：3
Материал элемента транзистора：SILICON
Описание пакета：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Форма упаковки：FLANGE MOUNT
Материал корпуса пакета：PLASTIC/EPOXY
Максимальная температура рефлоу：NOT SPECIFIED
Температура работы-Макс：175 °C
Рохс Код：Yes
Артикул Производителя：BUK652R6-40C
Форма упаковки：RECTANGULAR
Производитель：NXP Semiconductors
Количество элементов：1
Код цикла жизни компонента：Transferred
Производитель IHS：NXP SEMICONDUCTORS
Ранг риска：5.75
Код упаковки компонента：TO-220AB
Максимальный ток утечки (ID)：100 A
Код JESD-609：e3
Код ECCN：EAR99
Конечная обработка контакта：TIN
Положение терминала：SINGLE
Форма вывода：THROUGH-HOLE
Температура пайки (пиковая) (°C)：NOT SPECIFIED
Код соответствия REACH：unknown
Число контактов：3
Код JESD-30：R-PSFM-T3
Квалификационный Статус：Not Qualified
Конфигурация：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Режим работы：ENHANCEMENT MODE
Сокетная связка：DRAIN
Применение транзистора：SWITCHING
Полярность/Тип канала：N-CHANNEL
Код JEDEC-95：TO-220AB
Сопротивление открытого канала-макс：0.0026 Ω
Максимальный импульсный ток вывода：878 A
Минимальная напряжённость разрушения：40 V
Рейтинг энергии лавины (Eas)：774 mJ
Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

Со склада 0

Итого $0.00000