IPB021N06N3G

Name: Infineon IPB021N06N3G
Brand: Infineon
Rating: 4.9 (6 reviews)

Infineon
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Power Field-Effect Transistor, 120A I(D), 60V, 0.0021ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB, GREEN, PLASTIC, TO-263, D2PAK-3
Date Sheet

Lagernummer 19

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Монтаж：Surface Mount
Вид крепления：Surface Mount
Корпус / Кейс：TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Поверхностный монтаж：YES
Поставщик упаковки устройства：PG-TO263-3
Количество терминалов：2
Материал элемента транзистора：SILICON
Прямоходящий ток вывода Id：120
Количество элементов：1
РХОС：Compliant
Время отключения：79 ns
Пакет：Bulk
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：120A (Tc)
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：10V
Mfr：Infineon Technologies
Максимальная мощность рассеяния：250W (Tc)
Состояние продукта：Active
Ранг риска：5.8
Код упаковки компонента：D2PAK
Максимальный ток утечки (ID)：120 A
Производитель IHS：INFINEON TECHNOLOGIES AG
Код цикла жизни компонента：Obsolete
Производитель：Infineon Technologies AG
Форма упаковки：RECTANGULAR
Артикул Производителя：IPB021N06N3G
Рохс Код：Yes
Температура работы-Макс：175 °C
Максимальная температура рефлоу：40
Материал корпуса пакета：PLASTIC/EPOXY
Уровни чувствительности к влажности：1
Форма упаковки：SMALL OUTLINE
Описание пакета：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
Рабочая температура：-55°C ~ 175°C (TJ)
Серия：OptiMOS™ 3
Код JESD-609：e3
Код ECCN：EAR99
Конечная обработка контакта：MATTE TIN
Максимальная рабочая температура：175 °C
Минимальная температура работы：-55 °C
Подкатегория：FET General Purpose Power
Максимальная потеря мощности：250 W
Технология：MOSFET (Metal Oxide)
Положение терминала：SINGLE
Форма вывода：GULL WING
Температура пайки (пиковая) (°C)：260
Код соответствия REACH：compliant
Число контактов：4
Код JESD-30：R-PSSO-G2
Квалификационный Статус：Not Qualified
Конфигурация：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Конфигурация элемента：Single
Режим работы：ENHANCEMENT MODE
Распад мощности：250 W
Сокетная связка：DRAIN
Время задержки включения：41 ns
Тип ТРВ：N-Channel
Применение транзистора：SWITCHING
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：2.4mOhm @ 100A, 10V
Втс(th) (Макс) @ Id：4V @ 196µA
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：23000 pF @ 30 V
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：275 nC @ 10 V
Время подъема：80 ns
Напряжение стока-исток (Vdss)：60 V
Угол настройки (макс.)：±20V
Полярность/Тип канала：N-CHANNEL
Непрерывный ток стока (ID)：120 A
Код JEDEC-95：TO-263AB
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)：20 V
Максимальный сливовой ток (ID)：120 A
Сопротивление открытого канала-макс：0.0021 Ω
Напряжение пробоя стока к истоку：60 V
Максимальный импульсный ток вывода：480 A
Входной ёмкости：23 nF
Минимальная напряжённость разрушения：60 V
Канальный тип：N
Рейтинг энергии лавины (Eas)：634 mJ
Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Максимальная потеря мощности (абс.)：250 W
Характеристика ТРП：-
Сопротивление стока к истоку：2.1 mΩ
Rds на макс.：2.1 mΩ
Корпусировка на излучение：No

Со склада 19

Итого $0.00000