Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные 3SK207(TE85L)
Изображение служит лишь для справки
3SK207(TE85L)
- Toshiba
- Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- -
- TRANSISTOR UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, MOSFET, FET RF Small Signal
- Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Поверхностный монтаж:YES
- Количество терминалов:4
- Материал элемента транзистора:SILICON
- РХОС:Non-Compliant
- Описание пакета:SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4
- Форма упаковки:SMALL OUTLINE
- Материал корпуса пакета:PLASTIC/EPOXY
- Максимальная температура рефлоу:NOT SPECIFIED
- Температура работы-Макс:125 °C
- Рохс Код:No
- Артикул Производителя:3SK207TE85L
- Форма упаковки:RECTANGULAR
- Производитель:Toshiba America Electronic Components
- Количество элементов:1
- Код цикла жизни компонента:Active
- Производитель IHS:TOSHIBA CORP
- Ранг риска:5.81
- Максимальный ток утечки (ID):0.03 A
- Код JESD-609:e0
- Безоловая кодировка:No
- Код ECCN:EAR99
- Конечная обработка контакта:TIN LEAD
- Код ТН ВЭД:8541.21.00.75
- Положение терминала:DUAL
- Форма вывода:GULL WING
- Температура пайки (пиковая) (°C):240
- Код соответствия REACH:unknown
- Код JESD-30:R-PDSO-G4
- Квалификационный Статус:Not Qualified
- Конфигурация:SINGLE
- Режим работы:DUAL GATE, DEPLETION MODE
- Сокетная связка:SOURCE
- Применение транзистора:AMPLIFIER
- Полярность/Тип канала:N-CHANNEL
- Минимальная напряжённость разрушения:13.5 V
- Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток):METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- Обратная ёмкость-Макс (Crss):0.03 pF
- Частотная полоса наивысшего режима:ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
- Уголок мощности-минимум (Гп):18 dB
Со склада 0
Итого $0.00000