DMP3056LDMQ-7

Name: Diodes Inc. DMP3056LDMQ-7
Brand: Diodes Inc.
Rating: 4.6 (13 reviews)

Diodes Inc.
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
SOT-23-6
Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 30V, 0.045ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-Oxide Semiconductor FET, GREEN, PLASTIC PACKAGE-6
Date Sheet

Lagernummer 3533

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Срок поставки от производителя：15 Weeks
Монтаж：Surface Mount
Вид крепления：Surface Mount
Корпус / Кейс：SOT-23-6
Поверхностный монтаж：YES
Количество контактов：6
Поставщик упаковки устройства：SOT-26
Количество терминалов：6
Материал элемента транзистора：SILICON
Прямоходящий ток вывода Id：4.3
РХОС：Compliant
Время отключения：50.1 ns
Пакетная партия производителя：3000
Производитель：Diodes Incorporated
Бренд：Diodes Incorporated
Пакет：Tape & Reel (TR)
Основной номер продукта：DMP3056
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：4.3A (Ta)
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：4.5V, 10V
Mfr：Diodes Incorporated
Максимальная мощность рассеяния：1.25W (Ta)
Состояние продукта：Active
Описание пакета：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6
Форма упаковки：SMALL OUTLINE
Уровни чувствительности к влажности：1
Материал корпуса пакета：PLASTIC/EPOXY
Максимальная температура рефлоу：40
Температура работы-Макс：150 °C
Рохс Код：Yes
Артикул Производителя：DMP3056LDMQ-7
Форма упаковки：RECTANGULAR
Количество элементов：1
Код цикла жизни компонента：Active
Производитель IHS：DIODES INC
Ранг риска：5.64
Максимальный ток утечки (ID)：5 A
Пакетирование：Tape & Reel
Рабочая температура：-55°C ~ 150°C (TJ)
Серия：Automotive, AEC-Q101
Код JESD-609：e3
Безоловая кодировка：Yes
Код ECCN：EAR99
Конечная обработка контакта：Matte Tin (Sn)
Максимальная рабочая температура：150 °C
Минимальная температура работы：-55 °C
Дополнительная Характеристика：HIGH RELIABILITY
Подкатегория：MOSFETs
Технология：Si
Положение терминала：DUAL
Форма вывода：GULL WING
Температура пайки (пиковая) (°C)：260
Код соответствия REACH：compliant
Число контактов：6
Код JESD-30：R-PDSO-G6
Конфигурация：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Режим работы：ENHANCEMENT MODE
Распад мощности：1.5
Время задержки включения：10.2 ns
Тип ТРВ：P-Channel
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：45mOhm @ 5A, 10V
Втс(th) (Макс) @ Id：2.1V @ 250µA
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：948 pF @ 25 V
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：21.1 nC @ 10 V
Время подъема：6.6 ns
Напряжение стока-исток (Vdss)：30 V
Угол настройки (макс.)：±20V
Полярность/Тип канала：P-CHANNEL
Тип продукта：MOSFET
Непрерывный ток стока (ID)：4.3 A
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)：20 V
Максимальный сливовой ток (ID)：4.3 A
Сопротивление открытого канала-макс：0.045 Ω
Максимальный импульсный ток вывода：13 A
Минимальная напряжённость разрушения：30 V
Канальный тип：P
Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Максимальная потеря мощности (абс.)：1.25 W
Характеристика ТРП：-
Категория продукта：MOSFET
Корпусировка на излучение：No

Со склада 3533

Итого $0.00000