IRFM044

Name: Infineon IRFM044
Brand: Infineon
Rating: 4.6 (5 reviews)

Infineon
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
-
Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 60V, 0.05ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA, HERMETIC SEALED, TO-254AA, 3 PIN
Date Sheet

Lagernummer 0

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Поверхностный монтаж：NO
Количество терминалов：3
Материал элемента транзистора：SILICON
Код цикла жизни компонента：Active
Производитель IHS：INFINEON TECHNOLOGIES AG
Ранг риска：5.1
Максимальный ток утечки (ID)：35 A
Описание пакета：TO-254AA, 3 PIN
Форма упаковки：FLANGE MOUNT
Материал корпуса пакета：METAL
Максимальная температура рефлоу：NOT SPECIFIED
Температура работы-Макс：150 °C
Рохс Код：No
Артикул Производителя：IRFM044
Форма упаковки：SQUARE
Производитель：Infineon Technologies AG
Количество элементов：1
Код JESD-609：e0
Код ECCN：EAR99
Конечная обработка контакта：Tin/Lead (Sn/Pb)
Дополнительная Характеристика：HIGH RELIABILITY
Подкатегория：FET General Purpose Power
Положение терминала：SINGLE
Форма вывода：PIN/PEG
Температура пайки (пиковая) (°C)：NOT SPECIFIED
Код соответствия REACH：unknown
Код JESD-30：S-MSFM-P3
Квалификационный Статус：Not Qualified
Конфигурация：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Режим работы：ENHANCEMENT MODE
Сокетная связка：ISOLATED
Применение транзистора：SWITCHING
Полярность/Тип канала：N-CHANNEL
Код JEDEC-95：TO-254AA
Максимальный сливовой ток (ID)：35 A
Сопротивление открытого канала-макс：0.05 Ω
Максимальный импульсный ток вывода：180 A
Минимальная напряжённость разрушения：60 V
Рейтинг энергии лавины (Eas)：340 mJ
Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Максимальная потеря мощности (абс.)：125 W

Со склада 0

Итого $0.00000