FDT458P_NL

Name: Fairchild Semiconductor FDT458P_NL
Brand: Fairchild Semiconductor
Rating: 4.6 (12 reviews)

Fairchild Semiconductor
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
-
Power Field-Effect Transistor, 3.4A I(D), 30V, 0.13ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
Date Sheet

Lagernummer 156

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Поверхностный монтаж：YES
Количество терминалов：4
Материал элемента транзистора：SILICON
РХОС：Compliant
Описание пакета：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4
Форма упаковки：SMALL OUTLINE
Материал корпуса пакета：PLASTIC/EPOXY
Максимальная температура рефлоу：NOT SPECIFIED
Температура работы-Макс：150 °C
Рохс Код：Yes
Артикул Производителя：FDT458P_NL
Форма упаковки：RECTANGULAR
Производитель：Fairchild Semiconductor Corporation
Количество элементов：1
Код цикла жизни компонента：Obsolete
Производитель IHS：FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
Ранг риска：5.38
Максимальный ток утечки (ID)：3.4 A
Код ECCN：EAR99
Подкатегория：Other Transistors
Положение терминала：DUAL
Форма вывода：GULL WING
Температура пайки (пиковая) (°C)：NOT SPECIFIED
Код соответствия REACH：compliant
Код JESD-30：R-PDSO-G4
Квалификационный Статус：Not Qualified
Конфигурация：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Режим работы：ENHANCEMENT MODE
Сокетная связка：DRAIN
Применение транзистора：SWITCHING
Полярность/Тип канала：P-CHANNEL
Максимальный сливовой ток (ID)：3.4 A
Сопротивление открытого канала-макс：0.13 Ω
Максимальный импульсный ток вывода：10 A
Минимальная напряжённость разрушения：30 V
Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Максимальная потеря мощности (абс.)：1.1 W

Со склада 156

Итого $0.00000