Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные NP80N04MHE-S18-AY
Изображение служит лишь для справки
NP80N04MHE-S18-AY
- Renesas
- Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- TO-220-3
- NP80N04MHE-S18-AY
- Date Sheet
Lagernummer 273587
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Монтаж:Through Hole
- Вид крепления:Through Hole
- Корпус / Кейс:TO-220-3
- Поверхностный монтаж:NO
- Количество контактов:3
- Поставщик упаковки устройства:TO-220
- Количество терминалов:3
- Материал элемента транзистора:SILICON
- РХОС:Compliant
- Время отключения:44 ns
- Пакет:Tube
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C:80A (Tc)
- Mfr:Renesas Electronics America Inc
- Максимальная мощность рассеяния:1.8W (Ta), 120W (Tc)
- Состояние продукта:Obsolete
- Описание пакета:FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
- Форма упаковки:FLANGE MOUNT
- Материал корпуса пакета:PLASTIC/EPOXY
- Максимальная температура рефлоу:NOT SPECIFIED
- Рохс Код:Yes
- Артикул Производителя:NP80N04MHE-S18-AY
- Форма упаковки:RECTANGULAR
- Производитель:NEC Electronics Group
- Количество элементов:1
- Код цикла жизни компонента:Transferred
- Производитель IHS:NEC ELECTRONICS CORP
- Ранг риска:5.29
- Код упаковки компонента:TO-220AB
- Максимальный ток утечки (ID):80 A
- Пакетирование:Bulk
- Рабочая температура:175°C (TJ)
- Серия:-
- Код JESD-609:e3
- Код ECCN:EAR99
- Конечная обработка контакта:MATTE TIN
- Максимальная рабочая температура:175 °C
- Минимальная температура работы:-55 °C
- Код ТН ВЭД:8541.29.00.95
- Максимальная потеря мощности:1.8 W
- Технология:MOSFET (Metal Oxide)
- Положение терминала:SINGLE
- Форма вывода:THROUGH-HOLE
- Температура пайки (пиковая) (°C):NOT SPECIFIED
- Код соответствия REACH:compliant
- Число контактов:3
- Код JESD-30:R-PSFM-T3
- Квалификационный Статус:Not Qualified
- Конфигурация:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- Режим работы:ENHANCEMENT MODE
- Сокетная связка:DRAIN
- Время задержки включения:24 ns
- Тип ТРВ:N-Channel
- Применение транзистора:SWITCHING
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs:8mOhm @ 40A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id:4V @ 250µA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds:3300 pF @ 25 V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs:60 nC @ 10 V
- Время подъема:14 ns
- Напряжение стока-исток (Vdss):40 V
- Полярность/Тип канала:N-CHANNEL
- Непрерывный ток стока (ID):80 A
- Код JEDEC-95:TO-220AB
- Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs):20 V
- Сопротивление открытого канала-макс:0.008 Ω
- Максимальный импульсный ток вывода:280 A
- Входной ёмкости:3.3 nF
- Минимальная напряжённость разрушения:40 V
- Рейтинг энергии лавины (Eas):169 mJ
- Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток):METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- Характеристика ТРП:-
- Rds на макс.:8 mΩ
- Корпусировка на излучение:No
Со склада 273587
Итого $0.00000