(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные BLF8G24LS-100GVJ
Изображение служит лишь для справки
BLF8G24LS-100GVJ
-
NXP USA Inc.
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- -
- BLF8G24LS-100GV
Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Срок поставки от производителя：26 Weeks
- Поверхностный монтаж：YES
- Количество контактов：7
- Количество терминалов：6
- Материал элемента транзистора：SILICON
- РХОС：Compliant
- Описание пакета：SMALL OUTLINE, R-CDSO-G6
- Форма упаковки：SMALL OUTLINE
- Материал корпуса пакета：CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
- Максимальная температура рефлоу：NOT SPECIFIED
- Рохс Код：Yes
- Артикул Производителя：BLF8G24LS-100GVJ
- Форма упаковки：RECTANGULAR
- Производитель：Ampleon
- Количество элементов：1
- Код цикла жизни компонента：Contact Manufacturer
- Производитель IHS：AMPLEON NETHERLANDS B V
- Ранг риска：5.24
- Код ECCN：EAR99
- Положение терминала：DUAL
- Форма вывода：GULL WING
- Температура пайки (пиковая) (°C)：NOT SPECIFIED
- Код соответствия REACH：unknown
- Нормативная Марка：IEC-60134
- Код JESD-30：R-CDSO-G6
- Конфигурация：SINGLE
- Режим работы：ENHANCEMENT MODE
- Сокетная связка：SOURCE
- Применение транзистора：AMPLIFIER
- Полярность/Тип канала：N-CHANNEL
- Минимальная напряжённость разрушения：65 V
- Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- Частотная полоса наивысшего режима：S BAND
Со склада 0
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
