(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные IRFE120
Изображение служит лишь для справки
IRFE120
-
Infineon
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- -
- Power Field-Effect Transistor, 4.5A I(D), 100V, 0.35ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, HERMETIC SEALED, TO-39, LCC-18
Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Поверхностный монтаж：YES
- Количество терминалов：18
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Описание пакета：HERMETIC SEALED, TO-39, LCC-18
- Форма упаковки：CHIP CARRIER
- Максимальный ток утечки (ID)：4.5 A
- Ранг риска：5.13
- Производитель IHS：INFINEON TECHNOLOGIES AG
- Код цикла жизни компонента：Active
- Количество элементов：1
- Производитель：Infineon Technologies AG
- Форма упаковки：RECTANGULAR
- Артикул Производителя：IRFE120
- Рохс Код：No
- Температура работы-Макс：150 °C
- Максимальная температура рефлоу：NOT SPECIFIED
- Материал корпуса пакета：CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
- Код JESD-609：e0
- Код ECCN：EAR99
- Конечная обработка контакта：Tin/Lead (Sn/Pb)
- Дополнительная Характеристика：AVALANCHE ENERGY RATED
- Подкатегория：FET General Purpose Power
- Положение терминала：QUAD
- Форма вывода：NO LEAD
- Температура пайки (пиковая) (°C)：NOT SPECIFIED
- Код соответствия REACH：unknown
- Код JESD-30：R-CQCC-N18
- Квалификационный Статус：Not Qualified
- Конфигурация：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- Режим работы：ENHANCEMENT MODE
- Сокетная связка：SOURCE
- Применение транзистора：SWITCHING
- Полярность/Тип канала：N-CHANNEL
- Максимальный сливовой ток (ID)：4.5 A
- Сопротивление открытого канала-макс：0.35 Ω
- Максимальный импульсный ток вывода：18 A
- Минимальная напряжённость разрушения：100 V
- Рейтинг энергии лавины (Eas)：0.242 mJ
- Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- Максимальная потеря мощности (абс.)：14 W
Со склада 0
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
