(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные 2SJ179-T1-AZ
Изображение служит лишь для справки
2SJ179-T1-AZ
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Монтаж：Surface Mount
- Поверхностный монтаж：YES
- Количество терминалов：3
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Количество элементов：1
- РХОС：Compliant
- Описание пакета：SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3
- Форма упаковки：SMALL OUTLINE
- Материал корпуса пакета：PLASTIC/EPOXY
- Код упаковки производителя：PLZZ0004CC-A3
- Максимальная температура рефлоу：NOT SPECIFIED
- Температура работы-Макс：150 °C
- Рохс Код：Yes
- Артикул Производителя：2SJ179-T1-AZ
- Форма упаковки：RECTANGULAR
- Производитель：Renesas Electronics Corporation
- Код цикла жизни компонента：Obsolete
- Производитель IHS：RENESAS ELECTRONICS CORP
- Ранг риска：5.69
- Код упаковки компонента：POMM
- Максимальный ток утечки (ID)：1.5 A
- Максимальная рабочая температура：150 °C
- Минимальная температура работы：-55 °C
- Подкатегория：Other Transistors
- Положение терминала：SINGLE
- Форма вывода：FLAT
- Температура пайки (пиковая) (°C)：NOT SPECIFIED
- Код соответствия REACH：unknown
- Число контактов：3
- Код JESD-30：R-PSSO-F3
- Название бренда：Renesas
- Конфигурация：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- Режим работы：ENHANCEMENT MODE
- Распад мощности：2 W
- Сокетная связка：DRAIN
- Применение транзистора：SWITCHING
- Полярность/Тип канала：P-CHANNEL
- Непрерывный ток стока (ID)：1.5 A
- Максимальный сливовой ток (ID)：1.5 A
- Сопротивление открытого канала-макс：1.5 Ω
- Максимальный импульсный ток вывода：3 A
- Минимальная напряжённость разрушения：30 V
- Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- Максимальная потеря мощности (абс.)：2 W
- Корпусировка на излучение：No
- Без свинца：Lead Free
Со склада 0
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
