(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные ISL9N302AS3ST
Изображение служит лишь для справки
ISL9N302AS3ST
-
Fairchild Semiconductor
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
- Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 30V, 0.0033ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB,
Date Sheet
Lagernummer 35200
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Вид крепления：Surface Mount
- Корпус / Кейс：TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
- Поставщик упаковки устройства：D2PAK (TO-263)
- Пакет：Bulk
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：75A (Tc)
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：4.5V, 10V
- Mfr：Fairchild Semiconductor
- Максимальная мощность рассеяния：345W (Tc)
- Состояние продукта：Obsolete
- Рабочая температура：-55°C ~ 175°C (TJ)
- Серия：UltraFET™
- Технология：MOSFET (Metal Oxide)
- Тип ТРВ：N-Channel
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：2.3mOhm @ 75A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id：3V @ 250µA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：11000 pF @ 15 V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：300 nC @ 10 V
- Напряжение стока-исток (Vdss)：30 V
- Угол настройки (макс.)：±20V
- Характеристика ТРП：-
Со склада 35200
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
