Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные IRF7420TRPBF-1
Изображение служит лишь для справки
IRF7420TRPBF-1
- Infineon
- Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
- Power Field-Effect Transistor
- Date Sheet
Lagernummer 2115
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Состояние жизненного цикла:Production (Last Updated: 2 years ago)
- Вид крепления:Surface Mount
- Корпус / Кейс:8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
- Покрытие контактов:Tin
- Монтаж:Surface Mount
- Поставщик упаковки устройства:8-SO
- Количество в упаковке:4000
- Пакет:Bulk
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C:11.5A (Ta)
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On):1.8V, 4.5V
- Mfr:Infineon Technologies
- Максимальная мощность рассеяния:2.5W (Ta)
- Состояние продукта:Last Time Buy
- РХОС:Compliant
- Уровни чувствительности к влажности:1
- Максимальная температура рефлоу:NOT SPECIFIED
- Рохс Код:Yes
- Артикул Производителя:IRF7420TRPBF-1
- Производитель:Infineon Technologies AG
- Код цикла жизни компонента:Active
- Производитель IHS:INFINEON TECHNOLOGIES AG
- Ранг риска:5.31
- Рабочая температура:-55°C ~ 150°C (TJ)
- Серия:HEXFET®
- Пакетирование:Tape & Reel
- Код ECCN:EAR99
- Максимальная рабочая температура:150 °C
- Минимальная температура работы:-55 °C
- Технология:MOSFET (Metal Oxide)
- Температура пайки (пиковая) (°C):NOT SPECIFIED
- Код соответствия REACH:compliant
- Тип ТРВ:P-Channel
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs:14mOhm @ 11.5A, 4.5V
- Втс(th) (Макс) @ Id:900mV @ 250µA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds:3529 pF @ 10 V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs:38 nC @ 4.5 V
- Время подъема:8.8 ns
- Напряжение стока-исток (Vdss):12 V
- Угол настройки (макс.):±8V
- Непрерывный ток стока (ID):11.5 A
- Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs):8 V
- Максимальная температура перехода (Тj):150 °C
- Характеристика ТРП:-
- Допирная сопротивление:14 mΩ
Со склада 2115
Итого $0.00000