Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные NP82N055PUG-E2-AZ
Изображение служит лишь для справки
NP82N055PUG-E2-AZ
- Renesas
- Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- -
- Nch Single Power MOSFET 55V 82A 5.2mohm MP-25ZP/TO-263 Automotive
- Date Sheet
Lagernummer 41
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Вид крепления:Surface Mount
- Поверхностный монтаж:YES
- РХОС:Compliant
- Число элементов на чипе:1
- Формат упаковки:D2PAK (TO-263)
- Максимальная рабочая температура:+175 °C
- Минимальная температура работы:-55 °C
- Режим канала:Enhancement
- Описание пакета:,
- Код упаковки производителя:PRSS0004AL-A3
- Максимальная температура рефлоу:NOT SPECIFIED
- Температура работы-Макс:175 °C
- Рохс Код:Yes
- Артикул Производителя:NP82N055PUG-E2-AZ
- Производитель:Renesas Electronics Corporation
- Код цикла жизни компонента:Not Recommended
- Производитель IHS:RENESAS ELECTRONICS CORP
- Ранг риска:5.67
- Код упаковки компонента:MP-25ZP
- Подкатегория:FET General Purpose Power
- Температура пайки (пиковая) (°C):NOT SPECIFIED
- Код соответствия REACH:compliant
- Число контактов:3
- Название бренда:Renesas
- Конфигурация:Single
- Распад мощности:143 W
- Напряжение стока-исток (Vdss):55 V
- Полярность/Тип канала:N-CHANNEL
- Непрерывный ток стока (ID):82 A
- Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs):20 V
- Максимальный сливовой ток (ID):82 A
- Напряжение пробоя стока к истоку:55 V
- Канальный тип:N
- Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток):METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- Максимальная потеря мощности (абс.):143 W
- Сопротивление стока к истоку:4.1 mΩ
- Ширина:9.15mm
- Высота:4.45mm
- Длина:10mm
Со склада 41
Итого $0.00000