Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные NE325S01
Изображение служит лишь для справки
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Surface Mount：YES
- Number of Pins：4
- Number of Terminals：4
- Transistor Element Material：SILICON
- RoHS：Compliant
- Package Description：PLASTIC, S01, 4 PIN
- Package Style：DISK BUTTON
- Package Body Material：PLASTIC/EPOXY
- Manufacturer Part Number：NE325S01
- Package Shape：ROUND
- Manufacturer：NEC Electronics America Inc
- Number of Elements：1
- Part Life Cycle Code：Transferred
- Ihs Manufacturer：NEC ELECTRONICS AMERICA INC
- Risk Rank：5.77
- Drain Current-Max (ID)：0.02 A
- Max Operating Temperature：125 °C
- Additional Feature：HIGH RELIABILITY
- Max Power Dissipation：165 mW
- Terminal Position：RADIAL
- Terminal Form：GULL WING
- Reach Compliance Code：unknown
- Frequency：12 GHz
- JESD-30 Code：O-PRDB-G4
- Qualification Status：Not Qualified
- Configuration：SINGLE
- Operating Mode：DEPLETION MODE
- Power Dissipation：165 mW
- Case Connection：SOURCE
- Transistor Application：AMPLIFIER
- Drain to Source Voltage (Vdss)：4 V
- Polarity/Channel Type：N-CHANNEL
- Continuous Drain Current (ID)：60 mA
- Gate to Source Voltage (Vgs)：-3 V
- Gain：12.5 dB
- Drain to Source Breakdown Voltage：4 V
- DS Breakdown Voltage-Min：3 V
- FET Technology：HETERO-JUNCTION
- Highest Frequency Band：KU BAND
- Power Gain-Min (Gp)：11 dB
Со склада 0
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты