2SJ352-E

Name: Renesas 2SJ352-E
Brand: Renesas
Rating: 4.5 (11 reviews)

Lagernummer 0

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Покрытие контактов：Copper, Tin
Монтаж：Through Hole
Поверхностный монтаж：NO
Количество контактов：3
Количество терминалов：3
Материал элемента транзистора：SILICON
Количество элементов：1
Номинальное напряжение (постоянное)：-200 V
РХОС：Compliant
Описание пакета：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Форма упаковки：FLANGE MOUNT
Уровни чувствительности к влажности：1
Материал корпуса пакета：PLASTIC/EPOXY
Код упаковки производителя：PRSS0004ZE-A4
Максимальная температура рефлоу：NOT SPECIFIED
Температура работы-Макс：150 °C
Рохс Код：Yes
Артикул Производителя：2SJ352-E
Форма упаковки：RECTANGULAR
Производитель：Renesas Electronics Corporation
Код цикла жизни компонента：Not Recommended
Производитель IHS：RENESAS ELECTRONICS CORP
Ранг риска：5.2
Код упаковки компонента：TO-3P
Максимальный ток утечки (ID)：8 A
Безоловая кодировка：Yes
Код ECCN：EAR99
Максимальная рабочая температура：150 °C
Минимальная температура работы：-55 °C
Подкатегория：Other Transistors
Максимальная потеря мощности：100 W
Положение терминала：SINGLE
Форма вывода：THROUGH-HOLE
Температура пайки (пиковая) (°C)：NOT SPECIFIED
Код соответствия REACH：compliant
Моментальный ток：-8 A
Число контактов：4
Код JESD-30：R-PSFM-T3
Квалификационный Статус：Not Qualified
Название бренда：Renesas
Конфигурация：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Режим работы：ENHANCEMENT MODE
Распад мощности：100 W
Сокетная связка：SOURCE
Применение транзистора：SWITCHING
Напряжение стока-исток (Vdss)：200 V
Полярность/Тип канала：P-CHANNEL
Непрерывный ток стока (ID)：8 A
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)：20 V
Максимальный сливовой ток (ID)：8 A
Входной ёмкости：800 pF
Минимальная напряжённость разрушения：200 V
Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Максимальная потеря мощности (абс.)：100 W
Корпусировка на излучение：No
Без свинца：Lead Free

Со склада 0

Итого $0.00000