(0)
Изображение служит лишь для справки
NTE2365
-
NTE Electronics, Inc.
-
Дискретные полупроводниковые
- TO-3P-3 Full Pack
- Power Bipolar Transistor, 12A I(C), 800V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin,
Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Монтаж：Through Hole
- Вид крепления：Through Hole
- Корпус / Кейс：TO-3P-3 Full Pack
- Поверхностный монтаж：NO
- Количество контактов：3
- Поставщик упаковки устройства：TO-3PBL
- Вес：7.257478 g
- Количество терминалов：3
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Артикул Производителя：NTE2365
- Производитель：NTE Electronics
- Диэлектрический пробой напряжение：800 V
- Номинальное напряжение (постоянное)：800 V
- РХОС：Compliant
- Пакет：Bag
- Максимальный коллекторный ток (Ic)：15 A
- Mfr：NTE Electronics, Inc
- Состояние продукта：Active
- Описание пакета：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
- Форма упаковки：FLANGE MOUNT
- Материал корпуса пакета：PLASTIC/EPOXY
- Максимальная температура рефлоу：NOT SPECIFIED
- Рохс Код：Yes
- Форма упаковки：RECTANGULAR
- Количество элементов：1
- Код цикла жизни компонента：Active
- Производитель IHS：NTE ELECTRONICS INC
- Ранг риска：2.11
- Рабочая температура：150°C (TJ)
- Серия：-
- Код ECCN：EAR99
- Максимальная рабочая температура：150 °C
- Минимальная температура работы：-55 °C
- Дополнительная Характеристика：HIGH RELIABILITY
- Подкатегория：Other Transistors
- Положение терминала：SINGLE
- Форма вывода：THROUGH-HOLE
- Температура пайки (пиковая) (°C)：NOT SPECIFIED
- Код соответствия REACH：unknown
- Моментальный ток：12 A
- Код JESD-30：R-PSFM-T3
- Квалификационный Статус：Not Qualified
- Направленность：NPN
- Конфигурация：SINGLE
- Распад мощности：180 W
- Мощность - Макс：180 W
- Применение транзистора：AMPLIFIER
- Полярность/Тип канала：NPN
- Тип транзистора：NPN
- Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)：800 V
- Максимальный ток сбора：15 A
- Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce：8 @ 1A, 5V
- Ток - отсечка коллектора (макс)：1mA
- Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic：5V @ 2.5A, 10A
- Напряжение - пробой коллектора-эмиттера (макс.)：800 V
- Частота - Переход：-
- Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)：1.5 kV
- Максимальная потеря мощности (абс.)：180 W
- Напряжение эмиттер-база (VEBO)：6 V
- Максимальный ток коллектора (IC)：12 A
- Минимальный коэффициент усиления постоянного тока (hFE)：4
- Максимальное напряжение коллектор-эмиссия：800 V
- Ширина：5.207 mm
- Высота：26.162 mm
- Длина：20.5486 mm
Со склада 0
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
