Изображение служит лишь для справки
BCW60B
- Fairchild Semiconductor
- Дискретные полупроводниковые
- -
- NPN Epitaxial Silicon Transistor, 3LD, SOT23, JEDEC TO-236, LOW PROFILE, 3000/TAPE REEL
- Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Mount:Surface Mount
- Number of Pins:3
- Weight:30 mg
- Collector-Emitter Breakdown Voltage:32 V
- hFEMin:180
- Number of Elements:1
- Voltage Rating (DC):32 V
- RoHS:Compliant
- Max Operating Temperature:150 °C
- Max Power Dissipation:350 mW
- Current Rating:100 mA
- Frequency:125 MHz
- Polarity:NPN
- Element Configuration:Single
- Power Dissipation:350 mW
- Gain Bandwidth Product:125 MHz
- Collector Emitter Voltage (VCEO):32 V
- Max Collector Current:100 mA
- Transition Frequency:125 MHz
- Collector Base Voltage (VCBO):32 V
- Emitter Base Voltage (VEBO):5 V
- Lead Free:Lead Free
Со склада 0
Итого $0.00000