Изображение служит лишь для справки
MG200Q1JS40
-
Toshiba
-
Дискретные полупроводниковые
- -
- TRANSISTOR 200 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT, Insulated Gate BIP Transistor
Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Surface Mount：NO
- Number of Terminals：5
- Transistor Element Material：SILICON
- RoHS：Non-Compliant
- Package Description：2-109C3A, 5 PIN
- Package Style：FLANGE MOUNT
- Package Body Material：PLASTIC/EPOXY
- Turn-on Time-Nom (ton)：400 ns
- Turn-off Time-Nom (toff)：800 ns
- Reflow Temperature-Max (s)：NOT SPECIFIED
- Rohs Code：No
- Manufacturer Part Number：MG200Q1JS40
- Package Shape：RECTANGULAR
- Manufacturer：Toshiba America Electronic Components
- Number of Elements：1
- Part Life Cycle Code：Obsolete
- Ihs Manufacturer：TOSHIBA CORP
- Risk Rank：8.74
- Additional Feature：HIGH SPEED SWITCHING
- Terminal Position：UPPER
- Terminal Form：UNSPECIFIED
- Peak Reflow Temperature (Cel)：NOT SPECIFIED
- Reach Compliance Code：unknown
- JESD-30 Code：R-PUFM-X5
- Qualification Status：Not Qualified
- Configuration：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- Case Connection：ISOLATED
- Transistor Application：POWER CONTROL
- Polarity/Channel Type：N-CHANNEL
- Collector Current-Max (IC)：200 A
- Collector-Emitter Voltage-Max：1200 V
Со склада 0
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты