Изображение служит лишь для справки
BFP183WE6327
- Infineon
- Дискретные полупроводниковые
- SC-82A, SOT-343
- RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.065A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, NPN
- Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Вид крепления:Surface Mount
- Корпус / Кейс:SC-82A, SOT-343
- Поверхностный монтаж:YES
- Поставщик упаковки устройства:PG-SOT343-4
- Количество терминалов:4
- Материал элемента транзистора:SILICON
- Пакет:Bulk
- Максимальный коллекторный ток (Ic):65mA
- Mfr:Infineon Technologies
- Состояние продукта:Active
- Форма упаковки:SMALL OUTLINE
- Уровни чувствительности к влажности:NOT SPECIFIED
- Материал корпуса пакета:PLASTIC/EPOXY
- Максимальная температура рефлоу:40
- Рохс Код:Yes
- Траниционный частотный предел (fT):8000 MHz
- Артикул Производителя:BFP183WE6327
- Форма упаковки:RECTANGULAR
- Производитель:Rochester Electronics LLC
- Количество элементов:1
- Код цикла жизни компонента:Active
- Производитель IHS:ROCHESTER ELECTRONICS LLC
- Ранг риска:5.65
- Рабочая температура:150°C (TJ)
- Серия:-
- Код JESD-609:e3
- Безоловая кодировка:Yes
- Конечная обработка контакта:MATTE TIN
- Положение терминала:DUAL
- Форма вывода:GULL WING
- Температура пайки (пиковая) (°C):260
- Код соответствия REACH:unknown
- Код JESD-30:R-PDSO-G4
- Квалификационный Статус:COMMERCIAL
- Конфигурация:SINGLE
- Сокетная связка:COLLECTOR
- Мощность - Макс:450mW
- Применение транзистора:AMPLIFIER
- Полярность/Тип канала:NPN
- Тип транзистора:NPN
- Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce:70 @ 15mA, 8V
- Увеличение:22dB
- Напряжение - пробой коллектора-эмиттера (макс.):12V
- Частота - Переход:8GHz
- Максимальный ток коллектора (IC):0.065 A
- Максимальное напряжение коллектор-эмиссия:12 V
- Частотная полоса наивысшего режима:ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
- Сопротивление базы-эмиттора макс:0.6 pF
- Шумовая фигура (дБ тип @ ф):0.9dB ~ 1.4dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
Со склада 0
Итого $0.00000