Изображение служит лишь для справки
FB10R06W1E3ENG
-
Infineon
-
Дискретные полупроводниковые
- -
- Insulated Gate Bipolar Transistor,
Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Монтаж：Screw
- Количество контактов：19
- РХОС：Compliant
- Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)：600 V
- Максимальный ток сбора：18 A
Со склада 0
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты