Изображение служит лишь для справки
KSD1221GTU
-
Fairchild Semiconductor
-
Дискретные полупроводниковые
- -
- Small Signal Bipolar Transistor, 3A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-251, IPAK-3
Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Монтаж：Through Hole
- Диэлектрический пробой напряжение：60 V
- Минимальная частота работы в герцах：60
- Количество элементов：1
- Номинальное напряжение (постоянное)：60 V
- РХОС：Compliant
- Максимальная рабочая температура：150 °C
- Минимальная температура работы：-55 °C
- Максимальная потеря мощности：1 W
- Моментальный ток：3 A
- Частота：3 MHz
- Направленность：NPN
- Конфигурация элемента：Single
- Распад мощности：1 W
- Продуктивность полосы частот：3 MHz
- Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)：60 V
- Максимальный ток сбора：3 A
- Частота перехода：3 MHz
- Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)：60 V
- Напряжение эмиттер-база (VEBO)：7 V
- Без свинца：Lead Free
Со склада 0
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты