Изображение служит лишь для справки
MG25J6ES40
-
Toshiba
-
Дискретные полупроводниковые
- -
- TRANSISTOR 25 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, Insulated Gate BIP Transistor
Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Поверхностный монтаж：NO
- Количество терминалов：17
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Артикул Производителя：MG25J6ES40
- Производитель：Toshiba
- РХОС：Non-Compliant
- Описание пакета：FLANGE MOUNT, R-PUFM-D17
- Форма упаковки：FLANGE MOUNT
- Материал корпуса пакета：PLASTIC/EPOXY
- Температура работы-Макс：150 °C
- Форма упаковки：RECTANGULAR
- Количество элементов：6
- Код цикла жизни компонента：Active
- Производитель IHS：TOSHIBA CORP
- Ранг риска：5.71
- Дополнительная Характеристика：HIGH SPEED
- Подкатегория：Insulated Gate BIP Transistors
- Положение терминала：UPPER
- Форма вывода：SOLDER LUG
- Код соответствия REACH：unknown
- Код JESD-30：R-PUFM-D17
- Квалификационный Статус：Not Qualified
- Конфигурация：BRIDGE, 6 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
- Применение транзистора：POWER CONTROL
- Полярность/Тип канала：N-CHANNEL
- Максимальная потеря мощности (абс.)：100 W
- Максимальный ток коллектора (IC)：25 A
- Максимальное напряжение коллектор-эмиссия：600 V
- Напряжение затвор-эмиттер (макс.)：20 V
- Максимальное напряжение на выходе：3.5 V
- Время падения максимальное (tf)：350 ns
Со склада 0
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты