NTE2521

Name: NTE Electronics, Inc. NTE2521
Brand: NTE Electronics, Inc.
Rating: 4.5 (12 reviews)

NTE Electronics, Inc.
Дискретные полупроводниковые
-
Power Bipolar Transistor, 0.3A I(C), 250V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin,
Date Sheet

Lagernummer 0

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Поверхностный монтаж：NO
Количество терминалов：3
Материал элемента транзистора：SILICON
Артикул Производителя：NTE2521
Производитель：NTE Electronics
Диэлектрический пробой напряжение：250 V
РХОС：Non-Compliant
Описание пакета：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Форма упаковки：FLANGE MOUNT
Материал корпуса пакета：PLASTIC/EPOXY
Максимальная температура рефлоу：NOT SPECIFIED
Температура работы-Макс：150 °C
Рохс Код：Yes
Траниционный частотный предел (fT)：400 MHz
Форма упаковки：RECTANGULAR
Количество элементов：1
Код цикла жизни компонента：Active
Производитель IHS：NTE ELECTRONICS INC
Ранг риска：2.15
Код ECCN：EAR99
Код ТН ВЭД：8541.29.00.75
Подкатегория：Other Transistors
Положение терминала：SINGLE
Форма вывода：THROUGH-HOLE
Температура пайки (пиковая) (°C)：NOT SPECIFIED
Код соответствия REACH：unknown
Код JESD-30：R-PSFM-T3
Квалификационный Статус：Not Qualified
Направленность：NPN
Конфигурация：SINGLE
Применение транзистора：AMPLIFIER
Полярность/Тип канала：NPN
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)：250 V
Максимальная потеря мощности (абс.)：10 W
Максимальный ток коллектора (IC)：0.3 A
Минимальный коэффициент усиления постоянного тока (hFE)：20
Максимальное напряжение коллектор-эмиссия：250 V

Со склада 0

Итого $0.00000