(0)
Изображение служит лишь для справки
NTE106
-
NTE Electronics, Inc.
-
Дискретные полупроводниковые
- -
- RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 1-Element, Very High Frequency Band, Silicon, PNP, TO-18, TO-18, 3 PIN
Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Поверхностный монтаж：NO
- Количество терминалов：3
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Артикул Производителя：NTE106
- Производитель：NTE Electronics
- Описание пакета：CYLINDRICAL, O-MBCY-W3
- Форма упаковки：CYLINDRICAL
- Материал корпуса пакета：METAL
- Максимальная температура рефлоу：NOT SPECIFIED
- Рохс Код：Yes
- Траниционный частотный предел (fT)：1100 MHz
- Форма упаковки：ROUND
- Количество элементов：1
- Код цикла жизни компонента：Active
- Производитель IHS：NTE ELECTRONICS INC
- Ранг риска：5.73
- Код упаковки компонента：BCY
- Код ECCN：EAR99
- Код ТН ВЭД：8541.21.00.75
- Подкатегория：Other Transistors
- Положение терминала：BOTTOM
- Форма вывода：WIRE
- Температура пайки (пиковая) (°C)：NOT SPECIFIED
- Код соответствия REACH：unknown
- Число контактов：3
- Код JESD-30：O-MBCY-W3
- Квалификационный Статус：Not Qualified
- Конфигурация：SINGLE
- Применение транзистора：SWITCHING
- Полярность/Тип канала：PNP
- Код JEDEC-95：TO-18
- Максимальная потеря мощности (абс.)：0.25 W
- Максимальный ток коллектора (IC)：0.2 A
- Минимальный коэффициент усиления постоянного тока (hFE)：50
- Максимальное напряжение коллектор-эмиссия：15 V
- Частотная полоса наивысшего режима：VERY HIGH FREQUENCY BAND
- Сопротивление базы-эмиттора макс：3 pF
Со склада 0
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
