(0)
Изображение служит лишь для справки
FS200R07A1E3
-
Infineon
-
Дискретные полупроводниковые
- -
- Insulated Gate Bipolar Transistor, 250A I(C), 650V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-25
Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Поверхностный монтаж：NO
- Количество терминалов：13
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Артикул Производителя：FS200R07A1E3
- Производитель：Infineon
- Описание пакета：FLANGE MOUNT, R-XUFM-X13
- Форма упаковки：FLANGE MOUNT
- Уровни чувствительности к влажности：1
- Материал корпуса пакета：UNSPECIFIED
- Время включения (тон)：120 ns
- Время отключения (toff)：490 ns
- Максимальная температура рефлоу：NOT SPECIFIED
- Температура работы-Макс：175 °C
- Рохс Код：Yes
- Форма упаковки：RECTANGULAR
- Количество элементов：6
- Код цикла жизни компонента：Active
- Производитель IHS：INFINEON TECHNOLOGIES AG
- Ранг риска：5.02
- Код упаковки компонента：MODULE
- Безоловая кодировка：Yes
- Код ECCN：EAR99
- Тип：Six-Pack
- Подкатегория：Insulated Gate BIP Transistors
- Положение терминала：UPPER
- Форма вывода：UNSPECIFIED
- Температура пайки (пиковая) (°C)：NOT SPECIFIED
- Код соответствия REACH：compliant
- Число контактов：25
- Код JESD-30：R-XUFM-X13
- Квалификационный Статус：Not Qualified
- Конфигурация：BRIDGE, 6 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE AND THERMISTOR
- Сокетная связка：ISOLATED
- Применение транзистора：POWER CONTROL
- Полярность/Тип канала：N-CHANNEL
- Максимальная потеря мощности (абс.)：790 W
- Максимальный ток коллектора (IC)：250 A
- Максимальное напряжение коллектор-эмиссия：650 V
- Напряжение затвор-эмиттер (макс.)：20 V
- Максимальное напряжение на выходе：1.9 V
- Высота (мм)：21 mm
Со склада 0
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
