Изображение служит лишь для справки
NTE269
- NTE Electronics, Inc.
- Дискретные полупроводниковые
- TO-202 Long Tab
- Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-202, Plastic/Epoxy, 3 Pin, ISOLATED TO-202, 3 PIN
- Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Вид крепления:Through Hole
- Корпус / Кейс:TO-202 Long Tab
- Поверхностный монтаж:NO
- Поставщик упаковки устройства:TO-202
- Количество терминалов:3
- Материал элемента транзистора:SILICON
- Артикул Производителя:NTE269
- Производитель:NTE Electronics
- Пакет:Bag
- Максимальный коллекторный ток (Ic):2 A
- Mfr:NTE Electronics, Inc
- Состояние продукта:Active
- Описание пакета:ISOLATED TO-202, 3 PIN
- Форма упаковки:FLANGE MOUNT
- Материал корпуса пакета:PLASTIC/EPOXY
- Форма упаковки:RECTANGULAR
- Количество элементов:1
- Код цикла жизни компонента:Active
- Производитель IHS:NTE ELECTRONICS INC
- Ранг риска:1.76
- Код упаковки компонента:SFM
- Рабочая температура:-55°C ~ 150°C (TJ)
- Серия:-
- Код ECCN:EAR99
- Код ТН ВЭД:8541.29.00.95
- Подкатегория:Other Transistors
- Положение терминала:SINGLE
- Форма вывода:THROUGH-HOLE
- Код соответствия REACH:unknown
- Число контактов:3
- Код JESD-30:R-PSFM-T3
- Квалификационный Статус:Not Qualified
- Конфигурация:DARLINGTON
- Сокетная связка:COLLECTOR
- Мощность - Макс:1.67 W
- Применение транзистора:AMPLIFIER
- Полярность/Тип канала:PNP
- Тип транзистора:PNP - Darlington
- Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce:10000 @ 200mA, 5V
- Ток - отсечка коллектора (макс):500nA
- Код JEDEC-95:TO-202
- Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic:1.5V @ 3mA, 1.5A
- Напряжение - пробой коллектора-эмиттера (макс.):50 V
- Частота - Переход:-
- Максимальная потеря мощности (абс.):10 W
- Максимальный ток коллектора (IC):2 A
- Минимальный коэффициент усиления постоянного тока (hFE):1000
- Максимальное напряжение коллектор-эмиссия:50 V
- Максимальная мощность dissipation окружающей среды:10 W
Со склада 0
Итого $0.00000