(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные 2SJ278MYTR-E
Изображение служит лишь для справки
2SJ278MYTR-E
-
Renesas
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- -
- Pch Single Power MOSFET -60V -1A 830mohm UPAK/SC-62
Date Sheet
Lagernummer 453
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Поверхностный монтаж：YES
- Количество терминалов：3
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Описание пакета：SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3
- Форма упаковки：SMALL OUTLINE
- Материал корпуса пакета：PLASTIC/EPOXY
- Код упаковки производителя：PLZZ0004CA-A4
- Максимальная температура рефлоу：NOT SPECIFIED
- Температура работы-Макс：150 °C
- Рохс Код：Yes
- Артикул Производителя：2SJ278MYTR-E
- Форма упаковки：RECTANGULAR
- Производитель：Renesas Electronics Corporation
- Количество элементов：1
- Код цикла жизни компонента：Not Recommended
- Производитель IHS：RENESAS ELECTRONICS CORP
- Ранг риска：5.27
- Код упаковки компонента：UPAK
- Максимальный ток утечки (ID)：1 A
- Код ECCN：EAR99
- Подкатегория：Other Transistors
- Положение терминала：SINGLE
- Форма вывода：FLAT
- Температура пайки (пиковая) (°C)：NOT SPECIFIED
- Код соответствия REACH：compliant
- Число контактов：4
- Код JESD-30：R-PSSO-F3
- Квалификационный Статус：Not Qualified
- Название бренда：Renesas
- Конфигурация：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- Режим работы：ENHANCEMENT MODE
- Сокетная связка：DRAIN
- Применение транзистора：SWITCHING
- Полярность/Тип канала：P-CHANNEL
- Максимальный сливовой ток (ID)：1 A
- Сопротивление открытого канала-макс：1.2 Ω
- Минимальная напряжённость разрушения：60 V
- Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- Максимальная потеря мощности (абс.)：1 W
Со склада 453
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
