Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы GT100N12D5
Изображение служит лишь для справки
GT100N12D5
-
GOFORD
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы
- 8-PowerVDFN
- 120V 70A 8.5mΩ@10V,35A 120W 3V@250uA 22pF@60V N Channel 3050pF@60V 50nC@10V -55℃~+150℃@(Tj) DFN5x6-8L MOSFETs ROHS
Date Sheet
Lagernummer 184
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Mounting Type：Surface Mount
- Package / Case：8-PowerVDFN
- Supplier Device Package：8-DFN (5x6)
- Package：Tape & Reel (TR);Cut Tape (CT);Digi-Reel®;
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：70A
- Mfr：Goford Semiconductor
- Power Dissipation (Max)：120W
- Product Status：Active
- Operating Temperature：-55°C ~ 150°C (TJ)
- Series：-
- Technology：MOSFET (Metal Oxide)
- FET Type：N-Channel
- Rds On (Max) @ Id, Vgs：10mOhm @ 35A, 10V
- Vgs(th) (Max) @ Id：3.5V @ 250µA
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：3050 pF @ 60 V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：50 nC @ 10 V
- Drain to Source Voltage (Vdss)：120 V
- Vgs (Max)：±20V
Со склада 184
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты