Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы G26P04D5
Изображение служит лишь для справки
G26P04D5
-
GOFORD
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы
- 8-PowerTDFN
- DFN5x6-8L MOSFETs ROHS
Date Sheet
Lagernummer 5023
- 1+： $0.79539
- 10+： $0.75037
- 100+： $0.70790
- 500+： $0.66783
- 1000+： $0.63003
Zwischensummenbetrag $0.79539
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Mounting Type：Surface Mount
- Package / Case：8-PowerTDFN
- Supplier Device Package：8-DFN (4.9x5.75)
- Package：Tape & Reel (TR);Cut Tape (CT);Digi-Reel®;
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：26A (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：4.5V, 10V
- Mfr：Goford Semiconductor
- Power Dissipation (Max)：50W (Tc)
- Product Status：Active
- Operating Temperature：-55°C ~ 150°C (TJ)
- Series：-
- Technology：MOSFET (Metal Oxide)
- FET Type：P-Channel
- Rds On (Max) @ Id, Vgs：18mOhm @ 12A, 10V
- Vgs(th) (Max) @ Id：2.5V @ 250µA
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：2479 pF @ 20 V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：45 nC @ 10 V
- Drain to Source Voltage (Vdss)：40 V
- Vgs (Max)：±20V
- FET Feature：-
Со склада 5023
- 1+： $0.79539
- 10+： $0.75037
- 100+： $0.70790
- 500+： $0.66783
- 1000+： $0.63003
Итого $0.79539
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты