IPD70R600P7S

Name: Infineon Technologies IPD70R600P7S
Brand: Infineon Technologies
Rating: 4.9 (14 reviews)

Infineon Technologies
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы
-
700V 8.5A 43.1W 600mΩ@10V,1.8A 3.5V@90uA N Channel PG-TO252-3 MOSFETs ROHS
Date Sheet

Lagernummer 0

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Поверхностный монтаж：YES
Количество терминалов：2
Материал элемента транзистора：SILICON
Описание пакета：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
Форма упаковки：SMALL OUTLINE
Материал корпуса пакета：PLASTIC/EPOXY
Минимальная температура работы：-40 °C
Температура работы-Макс：150 °C
Рохс Код：Yes
Артикул Производителя：IPD70R600P7S
Форма упаковки：RECTANGULAR
Производитель：Infineon Technologies AG
Количество элементов：1
Код цикла жизни компонента：Active
Производитель IHS：INFINEON TECHNOLOGIES AG
Ранг риска：5.68
Максимальный ток утечки (ID)：8.5 A
Код ECCN：EAR99
Положение терминала：SINGLE
Форма вывода：GULL WING
Код соответствия REACH：compliant
Код JESD-30：R-PSSO-G2
Конфигурация：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Режим работы：ENHANCEMENT MODE
Сокетная связка：DRAIN
Применение транзистора：SWITCHING
Полярность/Тип канала：N-CHANNEL
Код JEDEC-95：TO-252
Максимальный сливовой ток (ID)：8.5 A
Сопротивление открытого канала-макс：0.6 Ω
Максимальный импульсный ток вывода：5 A
Минимальная напряжённость разрушения：700 V
Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Максимальная потеря мощности (абс.)：43.1 W

Со склада 0

Итого $0.00000