(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы GT080N10T
Изображение служит лишь для справки
GT080N10T
-
GOFORD
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы
- TO-220-3
- 100V 75A 6mΩ@10V,50A 100W 2.2V@250uA 22pF@50V N Channel 3.65nF@50V 70nC@10V -55℃~+150℃@(Tj) TO-220 MOSFETs ROHS
Date Sheet
Lagernummer 41
- 1+： $0.66625
- 10+： $0.62853
- 100+： $0.59296
- 500+： $0.55939
- 1000+： $0.52773
Zwischensummenbetrag $0.66625
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Вид крепления：Through Hole
- Корпус / Кейс：TO-220-3
- Поставщик упаковки устройства：TO-220
- Пакет：Tube
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：70A (Tc)
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：4.5V, 10V
- Mfr：Goford Semiconductor
- Максимальная мощность рассеяния：100W (Tc)
- Состояние продукта：Active
- Рабочая температура：-55°C ~ 150°C (TJ)
- Серия：GT
- Технология：MOSFET (Metal Oxide)
- Тип ТРВ：N-Channel
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：8mOhm @ 50A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id：3V @ 250µA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：2257 pF @ 50 V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：35 nC @ 10 V
- Напряжение стока-исток (Vdss)：100 V
- Угол настройки (макс.)：±20V
- Характеристика ТРП：-
Со склада 41
- 1+： $0.66625
- 10+： $0.62853
- 100+： $0.59296
- 500+： $0.55939
- 1000+： $0.52773
Итого $0.66625
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
