Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы G12P03D3
Изображение служит лишь для справки
G12P03D3
-
GOFORD
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы
- 8-PowerVDFN
- 30V 12A 17mΩ@10V,6A 3W 1.6V@250uA 158pF@15V P Channel 1.253nF@15V 24.5nC@10V -55℃~+150℃@(Tj) DFN3x3-8L MOSFETs ROHS
Date Sheet
Lagernummer 80035
- 1+： $0.64312
- 10+： $0.60672
- 100+： $0.57238
- 500+： $0.53998
- 1000+： $0.50941
Zwischensummenbetrag $0.64312
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Mounting Type：Surface Mount
- Package / Case：8-PowerVDFN
- Supplier Device Package：8-DFN (3.15x3.05)
- Package：Tape & Reel (TR);Cut Tape (CT);Digi-Reel®;
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：12A (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：4.5V, 10V
- Mfr：Goford Semiconductor
- Power Dissipation (Max)：3W (Tc)
- Product Status：Active
- Operating Temperature：-55°C ~ 150°C (TJ)
- Series：-
- Technology：MOSFET (Metal Oxide)
- FET Type：P-Channel
- Rds On (Max) @ Id, Vgs：20mOhm @ 6A, 10V
- Vgs(th) (Max) @ Id：2V @ 250µA
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：1253 pF @ 15 V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：24.5 nC @ 10 V
- Drain to Source Voltage (Vdss)：30 V
- Vgs (Max)：±20V
- FET Feature：-
Со склада 80035
- 1+： $0.64312
- 10+： $0.60672
- 100+： $0.57238
- 500+： $0.53998
- 1000+： $0.50941
Итого $0.64312
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты