(0)
Изображение служит лишь для справки
G7P03S
-
GOFORD
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы
- 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
- 30V 9A 16mΩ@10V,3A 2.7W 1.6V@250uA 158pF@15V P Channel 1253pF@15V 2.45nC@10V -55℃~+150℃@(Tj) SOP-8 MOSFETs ROHS
Date Sheet
Lagernummer 226
- 1+： $0.07187
- 10+： $0.06780
- 100+： $0.06396
- 500+： $0.06034
- 1000+： $0.05693
Zwischensummenbetrag $0.07187
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Вид крепления：Surface Mount
- Корпус / Кейс：8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
- Поставщик упаковки устройства：8-SOP
- Пакет：Tape & Reel (TR);Cut Tape (CT);Digi-Reel®;
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：9A (Tc)
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：4.5V, 10V
- Mfr：Goford Semiconductor
- Максимальная мощность рассеяния：2.7W (Tc)
- Состояние продукта：Active
- Рабочая температура：-55°C ~ 150°C (TJ)
- Серия：-
- Технология：MOSFET (Metal Oxide)
- Тип ТРВ：P-Channel
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：22mOhm @ 3A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id：2V @ 250µA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：1253 pF @ 15 V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：24.5 nC @ 10 V
- Напряжение стока-исток (Vdss)：30 V
- Угол настройки (макс.)：±20V
- Характеристика ТРП：-
Со склада 226
- 1+： $0.07187
- 10+： $0.06780
- 100+： $0.06396
- 500+： $0.06034
- 1000+： $0.05693
Итого $0.07187
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
