Изображение служит лишь для справки
G60N10T
-
GOFORD
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы
- TO-220-3
- 100V 60A 160W 13mΩ@10V,20A 1.5V@250uA 160pF@50V N Channel 3970pF@50V 146nC@10V -55℃~+150℃@(Tj) TO-220 MOSFETs ROHS
Date Sheet
Lagernummer 123
- 1+： $1.26965
- 10+： $1.19779
- 100+： $1.12999
- 500+： $1.06602
- 1000+： $1.00568
Zwischensummenbetrag $1.26965
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Mounting Type：Through Hole
- Package / Case：TO-220-3
- Supplier Device Package：TO-220
- Package：Tube
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：60A (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：4.5V, 10V
- Mfr：Goford Semiconductor
- Power Dissipation (Max)：160W (Tc)
- Product Status：Active
- Operating Temperature：-55°C ~ 150°C (TJ)
- Series：-
- Technology：MOSFET (Metal Oxide)
- FET Type：N-Channel
- Rds On (Max) @ Id, Vgs：25mOhm @ 20A, 10V
- Vgs(th) (Max) @ Id：2.5V @ 250µA
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：3970 pF @ 50 V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：146 nC @ 10 V
- Drain to Source Voltage (Vdss)：100 V
- Vgs (Max)：±20V
- FET Feature：-
Со склада 123
- 1+： $1.26965
- 10+： $1.19779
- 100+： $1.12999
- 500+： $1.06602
- 1000+： $1.00568
Итого $1.26965
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты