Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы UPA1857GR-9JG-E1-A
Изображение служит лишь для справки
UPA1857GR-9JG-E1-A
-
Renesas Electronics America Inc
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы
- 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
- MOSFET N-CH DUAL 60V 8-TSSOP
Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Mounting Type：Surface Mount
- Package / Case：8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
- Surface Mount：YES
- Supplier Device Package：8-TSSOP
- Mfr：Renesas Electronics America Inc
- Package：Tape & Reel (TR)
- Product Status：Last Time Buy
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：3.8A
- Package Description：,
- Reflow Temperature-Max (s)：NOT SPECIFIED
- Operating Temperature-Max：150 °C
- Rohs Code：Yes
- Manufacturer Part Number：UPA1857GR-9JG-E1-A
- Manufacturer：Renesas Electronics Corporation
- Part Life Cycle Code：Not Recommended
- Ihs Manufacturer：RENESAS ELECTRONICS CORP
- Risk Rank：5.73
- Series：-
- Pbfree Code：Yes
- Subcategory：FET General Purpose Power
- Peak Reflow Temperature (Cel)：NOT SPECIFIED
- Reach Compliance Code：compliant
- Brand Name：Renesas
- Power - Max：1.7W
- FET Type：2 N-Channel (Dual)
- Rds On (Max) @ Id, Vgs：67mOhm @ 2A, 10V
- Vgs(th) (Max) @ Id：2.5V @ 1mA
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：580pF @ 10V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：12nC @ 10V
- Drain to Source Voltage (Vdss)：60V
- Polarity/Channel Type：N-CHANNEL
- Drain Current-Max (Abs) (ID)：3.8 A
- FET Technology：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- Power Dissipation-Max (Abs)：1.7 W
- FET Feature：Logic Level Gate
Со склада 0
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты