Изображение служит лишь для справки

Lagernummer 132

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы
  • Корпус / Кейс:TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
  • Вид крепления:Through Hole
  • Поставщик упаковки устройства:TO-39
  • Mfr:Microchip Technology
  • Максимальный коллекторный ток (Ic):1 A
  • Состояние продукта:Active
  • Пакет:Bulk
  • Основной номер продукта:2N3019
  • Полярность транзистора:NPN
  • Эмиттер-основное напряжение ВЭБО:7 V
  • Распад мощности:800 mW
  • Максимальная рабочая температура:+ 200 C
  • Вес единицы:0.176025 oz
  • Минимальная температура работы:- 65 C
  • Пакетная партия производителя:1
  • Монтажные варианты:Through Hole
  • Параметр частотно-уровневого продукта fT:-
  • Производитель:Microchip
  • Бренд:Microchip / Microsemi
  • Максимальный постоянный ток сбора:1 A
  • РХОС:N
  • Максимальное напряжение коллектора-эммиттера VCEO:80 V
  • Серия:Military, MIL-PRF-19500/391
  • Рабочая температура:-65°C ~ 200°C (TJ)
  • Пакетирование:Bulk
  • Подкатегория:Transistors
  • Технология:Si
  • Конфигурация:Single
  • Мощность - Макс:800 mW
  • Тип продукта:BJTs - Bipolar Transistors
  • Тип транзистора:NPN
  • Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce:50 @ 500mA, 10V
  • Ток - отсечка коллектора (макс):10μA (ICBO)
  • Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic:500mV @ 50mA, 500mA
  • Напряжение - пробой коллектора-эмиттера (макс.):80 V
  • Частота - Переход:-
  • Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО):140 V
  • Прямоходящий ток коллектора:1
  • Категория продукта:Bipolar Transistors - BJT

Со склада 132

Итого $0.00000