Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные IPB051NE8NGATMA1
Изображение служит лишь для справки
IPB051NE8NGATMA1
-
Infineon Technologies
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
- N-CHANNEL POWER MOSFET
Date Sheet
Lagernummer 425
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Вид крепления：Surface Mount
- Корпус / Кейс：TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
- Поставщик упаковки устройства：PG-TO263-3-2
- Mfr：Infineon Technologies
- Пакет：Bulk
- Состояние продукта：Active
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：100A (Tc)
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：10V
- Максимальная мощность рассеяния：300W (Tc)
- Рабочая температура：-55°C ~ 175°C (TJ)
- Тип ТРВ：N-Channel
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：5.1mOhm @ 100A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id：4V @ 250μA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：12100 pF @ 40 V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：180 nC @ 10 V
- Напряжение стока-исток (Vdss)：85 V
- Угол настройки (макс.)：±20V
- Характеристика ТРП：-
Со склада 425
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты