HUF75344P3_NL

Name: Fairchild Semiconductor HUF75344P3_NL
Brand: Fairchild Semiconductor
Rating: 4.6 (17 reviews)

Fairchild Semiconductor
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
TO-220-3
N-CHANNEL POWER MOSFET
Date Sheet

Lagernummer 312

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Вид крепления：Through Hole
Корпус / Кейс：TO-220-3
Поверхностный монтаж：NO
Поставщик упаковки устройства：TO-220-3
Количество терминалов：3
Материал элемента транзистора：SILICON
Mfr：Fairchild Semiconductor
Пакет：Bulk
Состояние продукта：Active
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：75A (Tc)
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：10V
Максимальная мощность рассеяния：285W (Tc)
Описание пакета：TO-220AB, 3 PIN
Форма упаковки：FLANGE MOUNT
Уровни чувствительности к влажности：NOT SPECIFIED
Материал корпуса пакета：PLASTIC/EPOXY
Максимальная температура рефлоу：NOT SPECIFIED
Рохс Код：Yes
Артикул Производителя：HUF75344P3_NL
Форма упаковки：RECTANGULAR
Производитель：Rochester Electronics LLC
Количество элементов：1
Код цикла жизни компонента：Active
Производитель IHS：ROCHESTER ELECTRONICS LLC
Ранг риска：5.1
Код упаковки компонента：TO-220AB
Максимальный ток утечки (ID)：75 A
Рабочая температура：-55°C ~ 175°C (TJ)
Код JESD-609：e3
Безоловая кодировка：No
Конечная обработка контакта：TIN
Положение терминала：SINGLE
Форма вывода：THROUGH-HOLE
Температура пайки (пиковая) (°C)：NOT SPECIFIED
Код соответствия REACH：unknown
Число контактов：3
Код JESD-30：R-PSFM-T3
Квалификационный Статус：COMMERCIAL
Конфигурация：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Режим работы：ENHANCEMENT MODE
Сокетная связка：DRAIN
Тип ТРВ：N-Channel
Применение транзистора：SWITCHING
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：8mOhm @ 75A, 10V
Втс(th) (Макс) @ Id：4V @ 250μA
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：3200 pF @ 25 V
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：210 nC @ 20 V
Напряжение стока-исток (Vdss)：55 V
Угол настройки (макс.)：±20V
Полярность/Тип канала：N-CHANNEL
Код JEDEC-95：TO-220AB
Сопротивление открытого канала-макс：0.008 Ω
Минимальная напряжённость разрушения：55 V
Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Характеристика ТРП：-

Со склада 312

Итого $0.00000