2SK2008-E

Name: Renesas Electronics America Inc 2SK2008-E
Brand: Renesas Electronics America Inc
Rating: 4.9 (10 reviews)

Renesas Electronics America Inc
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
-
N-CHANNEL POWER MOSFET
Date Sheet

Lagernummer 0

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Поверхностный монтаж：NO
Количество терминалов：3
Материал элемента транзистора：SILICON
Mfr：Renesas Electronics America Inc
Пакет：Bulk
Состояние продукта：Active
Описание пакета：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Форма упаковки：FLANGE MOUNT
Уровни чувствительности к влажности：1
Материал корпуса пакета：PLASTIC/EPOXY
Код упаковки производителя：PRSS0003ZA-A3
Максимальная температура рефлоу：NOT SPECIFIED
Температура работы-Макс：150 °C
Рохс Код：Yes
Артикул Производителя：2SK2008-E
Форма упаковки：RECTANGULAR
Производитель：Renesas Electronics Corporation
Количество элементов：1
Код цикла жизни компонента：Obsolete
Производитель IHS：RENESAS ELECTRONICS CORP
Ранг риска：5.37
Код упаковки компонента：TO-3PFM
Максимальный ток утечки (ID)：20 A
Серия：*
Код JESD-609：e2
Безоловая кодировка：Yes
Код ECCN：EAR99
Конечная обработка контакта：TIN COPPER
Подкатегория：FET General Purpose Power
Положение терминала：SINGLE
Форма вывода：THROUGH-HOLE
Температура пайки (пиковая) (°C)：NOT SPECIFIED
Код соответствия REACH：compliant
Число контактов：3
Код JESD-30：R-PSFM-T3
Квалификационный Статус：Not Qualified
Название бренда：Renesas
Конфигурация：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Режим работы：ENHANCEMENT MODE
Сокетная связка：ISOLATED
Применение транзистора：SWITCHING
Полярность/Тип канала：N-CHANNEL
Максимальный сливовой ток (ID)：20 A
Сопротивление открытого канала-макс：0.15 Ω
Максимальный импульсный ток вывода：80 A
Минимальная напряжённость разрушения：250 V
Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Максимальная потеря мощности (абс.)：60 W

Со склада 0

Итого $0.00000